花生控制下針（ＡnＭ）栽培法 控制下針（ＡnＭ）栽培法是我國著名花生 專家、 萊陽農學院教授 沈毓駿研究發明的一項花生栽培新技術。該技術是通過控制花 生下胚軸 的曝光時間和植株基部的大氣濕度，促進內源激素乙烯的產生，從而控 制下 胚軸的伸長和果針的入土時間， 減少過熟果和空秕果，達到果多果 飽、優質高產之目 的。 經在山東、河北、遼寧、四川等省大面積示范、 推廣，采用控制下針栽培法種植 的花生， 出苗齊，生長壯，第一對側技 發育快，下針集中，結果整齊，成熟一致，一 般增產20％左右， 高者可 達35％以上，而且省工省力，適于機械化操作，是花生栽培 技術上的一 項重大突破。 其技術要點： Ａ環節 主要是通過培土，引升子葉節，使其 露出地面（或地膜） ， 以便控制早期花下針。采用露地栽培的花生，播種后改扶平頂 為尖形頂 （其橫斷面很像一個大寫字母“Ａ”）；平地播種時，則在播種后將播 行扶 成尖形頂的粗壟。壟頂距種子約為8厘米，在下胚軸長約3～4厘 米時（一般在播后10天 左右），撤去壟頂上的浮土，僅在子葉上面保留 1厘米厚的薄土層。撤土時可用鐵筢子 背或立著手掌進行，熟練后也可使 用其它器具。撤土的具體時間，最好在下午3～4時， 此時， 由于芽苗 在土內尚未曝光，下胚軸繼續伸，一般到第二天清晨子葉節即可升出 地面（出苗前的撤土實際取代了常規栽培中出苗后的清棵） 。平播的細 沙地，在花生 出苗頂土出現細小裂縫時， 以鋤推抹播行，彌合裂縫，防 止芽苗過早曝光，也能起到 引升子葉節位作用； 個別已短時曝光的芽苗， 彌合裂縫后重又處于黑暗環境，下胚軸 在一定范圍內仍能恢得伸長， 繼 續升高子葉節位。采用地膜覆蓋栽培的花生，改常規 栽培中的起壟筑畦 覆膜為平地覆膜成畦，播種后在地膜表面的播種穴上，覆以5厘米高 的 錐形土堆，以延遲芽苗曝光時間，促使胚莖繼續伸長，待子葉節自行I} 出膜面后， 再把小土堆撤回畦溝內；若在子葉節升出膜面前遇雨而使土 堆結塊，應及時采取措施， 消除土堆上的裂縫， 防止芽苗過早曝光。花 生出苗后，只要田間基本無草，表土也不 板結，一般不進行中耕；需要 中耕時，可采用退行深鋤壟溝的辦法，鋤只前拉不推抹， 更不能破壟， 以利側根深扎。出苗不全的地塊，可就近移苗補栽。移栽時開深穴，并 使移栽苗的子葉節高出地面， 然后填細土至下胚軸長度的一半，澆兩遍 水，水滲下后 再填土封穴，一般經5天左右即可緩苗，比補種效果好。 n環節 主要是控制下針。在花 生初花期， 通過中耕，將壟兩側的土 鋤向行間 ，使壟形成“n”狀窄埂；即使行間的 土高于壟行， 也要使花 生行變成窄埂狀。這樣，有利于通風散濕，降低植株基部空間 的大氣濕 度，同時加大果針與地表的距離，從而是減慢果針的伸長速度，達到控 制早 期花下針結實的目的。 n環節形成的窄埂，一般高度為5厘米左右， 頂寬約6～7厘米。 平作花生實施n環節時，可把株行鋤成“Ｗ”形使 植株位于“Ｗ”字形的中峰，行間變 成高而窄的土壟。 覆膜栽培的花生， 通過Ａ環節的引升作用，子葉節升出膜面后，在 膜面溫度高、 風速較大、 大氣溫度較低的環境中，早期花針的下扎已經受到控制，故 生產上一般 不再實施n環節。 Ｍ環節 主要是通過扶壟，解除對下針的控制。北方春花 生一般在6 月底或7日初（即收獲前80天左右）實施Ｍ環節。實施方法是，用帶草 環的、 鋤板銷小些的大鋤， 先打破表土板結層，然后在壟行中間深鋤猛 拉，帶土扶壟，使花 生行自然形成既胖且陡、 頂寬不少于20厘米的凹（Ｍ） 形壟；土壤肥力低的地塊，扶 壟前可先向n狀窄埂的植株下面每畝撒施 尿素2．5公斤，優質過磷酸鈣10公斤，以促進 植株的生長發育。 花生 封壟時，再劃鋤壟溝，使壟體增高、加厚，以利抗旱排澇和促 進莢果發 育。另據研究，花生果針入土后，結果層的M寥浪�分绕A陀諤錛渥畬蟪V 水量 的60％， 入土果針先端的子房則不能發育成莢果。因此，生產上為 創造一個好的墑情 條件， 常常適當推遲解除控制的時間。山東省一般在7 月5日前后，在降雨或灌溉后適 時進行。覆膜花生實施Ｍ環節的方法是， 于下針盛期（北方春花生大體在7月中旬）， 在植株基部，直徑約為20 厘米的膜面上，撒一層1厘米厚的細土，以助針入膜，增加結 果數。 （ 佚名）